場效應管的選型參數
1 I_DSS：飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓U _GS=0時的漏源電流。
2 U_P：夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。
3 U_T：開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。
4 g_M：跨導。是表示柵源電壓U _GS — 對漏極電流I _D的控制能力，即漏極電流I _D變化量與柵源電壓U_GS變化量的比值。g_M 是衡量場效應管放大能力的重要參數。
5 BU_DS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓U_GS一定時，場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓。
6 P_DSM：最大耗散功率。也是一項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效應管實際功耗應小于P_DSM并留有一定余量。
7 I_DSM：最大漏源電流。是一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效應管的工作電流不應超過I_DSM
 
場效應管使用注意事項
1 MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝
2 取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。
3 焊接用的電烙鐵必須良好接地。
4 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。
5 MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。
6 電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。MOS場效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。
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